Yn debyg i graphene, mae MXenes yn ddeunydd dau ddimensiwn carbid metel sy'n cynnwys haenau o ditaniwm, alwminiwm, ac atomau carbon, ac mae gan bob un ohonynt ei strwythur sefydlog ei hun a gall symud yn hawdd rhwng haenau. Ym mis Mawrth 2021, cynhaliodd Prifysgol Gwyddoniaeth a Thechnoleg Talaith Missouri a Labordy Cenedlaethol Argonne ymchwil ar ddeunyddiau MXenes a chanfod bod priodweddau gwrth-wisgo ac iro'r deunydd hwn mewn amgylcheddau eithafol yn well nag ireidiau traddodiadol sy'n seiliedig ar olew, a gellir eu defnyddio fel " "Super Lubricant" i leihau traul ar stilwyr yn y dyfodol fel Dyfalbarhad.
Roedd yr ymchwilwyr yn efelychu'r amgylchedd gofod, a chanfu profion ffrithiant y deunydd fod cyfernod ffrithiant y rhyngwyneb MXene rhwng y bêl ddur a'r ddisg wedi'i gorchuddio â silica a ffurfiwyd yn y "cyflwr superlubricated" mor isel â 0.0067 mor isel â 0.0017. Cafwyd canlyniadau gwell pan ychwanegwyd graphene at MXene. Gall ychwanegu graphene leihau ffrithiant ymhellach 37.3% a lleihau traul gan ffactor o 2 heb effeithio ar eiddo superlubrication MXene. Mae deunyddiau MXenes wedi'u haddasu'n dda i amgylcheddau tymheredd uchel, gan agor drysau newydd i'w defnyddio yn y dyfodol o ireidiau mewn amgylcheddau eithafol.
Cyhoeddwyd cynnydd datblygiad y sglodion proses 2nm cyntaf yn yr Unol Daleithiau
Her barhaus yn y diwydiant lled-ddargludyddion yw cynhyrchu microsglodion llai, cyflymach, mwy pwerus a mwy ynni-effeithlon ar yr un pryd. Mae'r rhan fwyaf o sglodion cyfrifiadurol sy'n pweru dyfeisiau heddiw yn defnyddio technoleg proses 10- neu 7-nanomedr, gyda rhai gweithgynhyrchwyr yn cynhyrchu sglodion 5-nanomedr.
Ym mis Mai 2021, cyhoeddodd Corfforaeth IBM yr Unol Daleithiau gynnydd datblygu sglodion proses 2nm cyntaf y byd. Mae'r transistor sglodion yn mabwysiadu dyluniad gât nanomedr tair haen o gwmpas (GAA), gan ddefnyddio'r dechnoleg lithograffeg uwchfioled eithafol mwyaf datblygedig i ddiffinio'r maint lleiaf, hyd giât y transistor yw 12 nanometr, bydd y dwysedd integreiddio yn cyrraedd 333 miliwn fesul milimetr sgwâr, a gellir integreiddio 50 biliwn.
Mae'r transistorau wedi'u hintegreiddio mewn ardal yr un maint ag ewin. O'i gymharu â'r sglodion 7nm, disgwylir i'r sglodion proses 2nm wella perfformiad 45%, lleihau'r defnydd o ynni 75%, a gall ymestyn oes batri ffonau symudol bedair gwaith, a gellir defnyddio'r ffôn symudol yn barhaus am bedwar diwrnod gydag un tâl yn unig.
Yn ogystal, gall y sglodyn proses newydd hefyd wella perfformiad cyfrifiaduron nodlyfr yn fawr, gan gynnwys gwella pŵer prosesu cymwysiadau cyfrifiaduron nodlyfr a chyflymder mynediad i'r Rhyngrwyd. Mewn ceir hunan-yrru, gall sglodion proses 2nm wella galluoedd canfod gwrthrychau a byrhau amseroedd ymateb, a fydd yn hyrwyddo datblygiad y maes lled-ddargludyddion yn fawr ac yn parhau â chwedl Cyfraith Moore. Mae IBM yn bwriadu masgynhyrchu sglodion proses 2nm yn 2027.
Amser postio: Awst-01-2022